近期表现强势的存储板块或又迎涨价利好!
消息面上 ,据财联社,三星电子本月提高了某些内存芯片的价格,这些芯片因全球建设AI数据中心的热潮而供应短缺 ,提高后的芯片价格比九月份上涨了多达60%。
此前11月5日,另一巨头SK海力士宣布已与英伟达就明年HBM4供应完成价格和数量谈判,其向英伟达供应的HBM4单价确认约为560美元 ,较当前供应的HBM3E(约370美元)涨价超50%,且超出此前业内500美元的预期10%以上 。
半导体分销商Fusion Worldwide总裁Tobey Gonnerman表示,许多最大的服务器制造商和数据中心建设商"现在接受他们无法获得足够产品的事实。支付的价格溢价极高"。
三星32GB DDR5内存芯片模组的合同价格从9月的149美元跃升至11月的239美元 。DDR内存芯片用于服务器 、计算机和其他设备,通过临时存储数据和管理快速数据传输和检索来辅助计算性能。
该公司还将16GB DDR5和128GB DDR5芯片价格分别上调约50% ,至135美元和1194美元。64GB DDR5和96GB DDR5的价格涨幅超过30% 。
KB证券研究主管Jeff Kim表示,三星在向人工智能芯片转型方面较慢,这意味着该公司在内存领域比SK海力士和美光等竞争对手拥有更强的定价权。
主力资金:11月抢筹多只存储概念股
而对于注重“海外映射 ”的A股市场而言 ,此次三星大幅提价,能否带动存储板块继续强势值得关注。
东方财富Choice数据显示,自11月以来 ,普冉股份排名第一,主力净买入4.9亿元;神州数码排名第二,主力净买入4.5亿元。
好上好、盈新发展、国科微 、同有科技、北京君正、协创数据 、杭州柯林等个股主力净买额在3.8亿元至1亿元之间不等 。
机构:存储进入新一轮上行周期
公开信息显示 ,存储芯片具体可分为两类:一是数据持久化存储(如NAND闪存,断电后数据不丢失),二是实时数据暂存(如DRAM ,需持续供电,读写速度快);其中,基于DRAM技术的高端品类HBM(高带宽内存),可满足AI计算、服务器等场景中“海量数据实时流转”的需求。
而由于全球三大存储巨头三星、海力士和美光将大量晶圆产能转向HBM和DDR5生产 ,这直接挤压了DDR4的产能空间,使得DDR4产量减少,市场上供不应求。
TrendForce集邦咨询7月发布的报告显示 ,由于三大厂转移产能,并宣布个人电脑、服务器用DDR4及手机用LPDDR4X进入产品生命周期末期,引发了市场对上一代产品积极备货 ,再加上正值存储行业旺季,现货市场供不应求 。2025年第三季度DRAM合约价上涨10%至15%,第三季度涨价幅度达到40%至45%。
国泰君安证券也在近期发布的研报中也指出 ,存储行业已进入新一轮上行周期,服务器需求回暖叠加AI服务器放量,是本轮涨价的核心驱动力。报告特别强调 ,随着大模型训练和推理对内存容量的需求激增,HBM和DDR5内存的紧缺将进一步传导至整个存储产业链 。
中信证券表示,存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长,同时 ,在外部限制或将加码的背景下,国内将加快科技自立自强步伐,国产替代与自主可控进程或将进一步加速 ,拉动半导体材料增量需求,建议关注长鑫产业链,重点布局国产半导体材料细分龙头。
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